Ohio State University wählt AIXTRON CCS-MOCVD-System für die Entwicklung von Galliumoxid-Bauelementen der nächsten Generation

Ohio State University wählt AIXTRON CCS-MOCVD-System für die Entwicklung von Galliumoxid-Bauelementen der nächsten Generation

Herzogenrath, 20. November 2025 – Die Ohio State University (OSU) hat ein Close Coupled Showerhead® (CCS)-System für die metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) von AIXTRON SE (FSE: AIXA) erworben. Das System wird für die fortschrittliche Epitaxie von Galliumoxid (Ga2O3) und Aluminiumgalliumoxid (AlGaO) zur Material- und Geräteentwicklung auf 100 mm-Substraten eingesetzt. Dieses hochmoderne MOCVD-System trägt dazu bei, die Entwicklung von Bauelementen bestehend aus Halbleitern mit breiter oder ultrabreiter Bandlücke zu revolutionieren.

Das CCS-MOCVD-System von AIXTRON ist für seine Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit bekannt und ermöglicht die Abscheidung hochwertiger, homogener Dünnschichten für eine breite Palette von Verbundwerkstoffen. Galliumoxid und seine Legierungen zeichnen sich durch überlegene Eigenschaften bei höheren Spannungen, Frequenzen und Temperaturen im Vergleich zu konventionellen Halbleitermaterialien aus. Das neue System wird es den Forschenden der OSU ermöglichen, die Eigenschaften dieser Materialien zu erforschen, neuartige Bauelementarchitekturen zu entwickeln und die Grenzen der Halbleitertechnologie zu erweitern.

„Wir haben bereits sehr gute Erfahrungen mit AIXTRON-CCS-Reaktoren für GaAs- und InP-Materialien gemacht. Ihre Reaktoren sind weltweit bekannt für ihre exzellente Gleichmässigkeit, hohe Materialqualität und grosse Prozessfenster. AIXTRON hat dies nun auch für Galliumoxid (Ga2O3) und Aluminiumgalliumoxid (AlGaO) gezeigt, und wir freuen uns auf die Zusammenarbeit bei der Entwicklung neuartiger Epitaxieschichten und Bauelemente mit diesem System“, sagte Professor Steven A. Ringel, Associate Vice President for Research der Ohio State University und Direktor des Institute for Materials and Manufacturing Research (IMR). Er fügte hinzu: „Wir schätzen insbesondere die Skalierbarkeit der Plattform sowie die Möglichkeit, Wafer mit einem Durchmesser von bis zu 4 Zoll zu verarbeiten. Wir freuen uns darauf, gemeinsam mit AIXTRON den nächsten Schritt zu gehen.“

Dr. Felix Grawert, CEO von AIXTRON SE, kommentierte: „Wir freuen uns sehr, unsere Partnerschaft mit der OSU und den angesehenen Professoren Hongping Zhao, Siddharth Rajan und Steven Ringel bekannt zu geben. Unsere CCS-MOCVD-Anlagen haben durchweg eine herausragende Leistung in der Unterstützung von Spitzenforschung und in der nahtlosen Skalierung hin zu Tier-1-Industrieanwendungen gezeigt. Besonders begeistert sind wir von den vielversprechenden Fortschritten in der Galliumoxid-Technologie, die die nächste Generation von Leistungsbauelementen einläuten. Diese Zusammenarbeit unterstreicht unser Engagement für die Förderung von Innovation sowie die Weiterentwicklung von Forschung und Entwicklung in der Halbleiterindustrie.“

Der für Ga2O3-Prozesse ausgelegte MOCVD-Reaktor wird im Nanotech West Lab installiert, einer 3.500 m² grossen Shared-User-Facility für die Materialforschungsgemeinschaft der Ohio State University. Das Labor wird vom Institute for Materials and Manufacturing Research (IMR) betrieben, einem multidisziplinären Institut, das Infrastruktur, Entwicklung und Betrieb zentraler Forschungseinrichtungen an der Ohio State University verantwortet.

Ansprechpartner

Christian Ludwig

Vice President Investor Relations & Corporate Communications

fon +49 (2407) 9030-444

e-mail c.ludwig@aixtron.com

Über die Ohio State University

Die Ohio State University in Columbus, Ohio, ist bekannt für ihre starken akademischen Programme, ihre Spitzenforschung und ihr pulsierendes Campusleben. Als eine der grössten Universitäten der Vereinigten Staaten spielt sie eine zentrale Rolle in den Bereichen Innovation, Bildung und gesellschaftliches Engagement in einer Vielzahl von Disziplinen.

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com  verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche ausserhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen geht die deutsche massgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung vor.